DDR5 в Массы! и причем тут SAMSUNG

Samsung планирует начать производство памяти DDR5 и LPDDR5 в следующем году, используя технологию производства, которая будет использовать преимущества ультрафиолетовой литографии (EUVL). Фактически, Samsung уже некоторое время играет с процессом создания DRAM с поддержкой EUV и уже проверила память DDR4 с избранными партнерами.

На сегодняшний день Samsung произвела и поставила миллион модулей DDR4 DRAM на основе микросхем, изготовленных по технологии компании D1x, в которой используется литография EUV. Эти модули завершили оценки клиентов, что доказывает, что Samsung 1улица Технология EUV DRAM поколения позволяет строить тонкие схемы. Samsung D1x – это экспериментальный процесс изготовления EUVL, который использовался для создания экспериментальных DDR4 DRAM, хотя в дальнейшем он не будет использоваться, заявляет компания.

Вместо этого для производства DDR5 и LPDDR5 в следующем году компания будет использовать свой D1a, высокоразвитый процесс класса 14 нм со слоями EUV. Ожидается, что эта технология удвоит производительность на каждую пластину (вывод бит DRAM) по сравнению с технологией D1x, что указывает на то, что она использует более тонкие геометрии. Samsung не раскрывает, использует ли D1a и другие инновации (в дополнение к EUVL), такие как конденсаторы элементарных ячеек и слои с двумя рабочими функциями для скрытых межстрочных линий, как и ожидают аналитики из TechInsights, которые считают, что масштабирующие транзисторы с ячейками DRAM и структуры конденсаторов предлагают ограниченная возможность масштабирования дальше от текущих уровней.

Сроки Samsung DRAM вехи
#016a96" class="contentwhite" colspan="2" width="10%" style="height: 18px;">Дата #016a96" class="contentwhite" colspan="1" rowspan="1" width="30%" style="height: 18px;">веха
2021 #f7f7f7" style="height: 36px;">4-го поколения 10-нм класса (1a) на основе EUV
16Gb DDR5 / LPDDR5 серийное производство
Март 2020 #f7f7f7" style="height: 18px;">Разработка DRAM на базе EUV 4-го поколения (1а)
Сентябрь 2019 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 3-го поколения 10 нм (1z) 8Gb DDR4
Июнь 2019 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство второго поколения 10 нм (1 год) 12 Гб LPDDR5
Март 2019 #f7f7f7" style="height: 18px;">Разработка 3-го поколения 10-нм (1z) 8Gb DDR4
Ноябрь 2017 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 2-го поколения 10-нм (1y) 8Gb DDR4
Сентябрь 2016 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 1-го поколения 10-нм (1x) 16 ГБ LPDDR4 / 4X
Февраль 2016 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 1-го поколения 10-нм (1x) 8Gb DDR4
Октябрь 2015 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 20 нм (2z) 12 ГБ LPDDR4
Декабрь 2014 #f7f7f7" style="height: 18px;">20 нм (2z) 8Gb GDDR5 массовое производство
Декабрь 2014 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 20 нм (2z) 8 ГБ LPDDR4
Октябрь 2014 #f7f7f7" style="height: 18px;">20 нм (2z) 8Gb DDR4 массовое производство
Февраль 2014 года #f7f7f7" style="height: 18px;">20 нм (2z) 4Gb DDR3 массовое производство
Февраль 2014 года #f7f7f7" style="height: 18px;">20 нм класс (2 года) 8 Гб LPDDR4 массовое производство
Ноябрь 2013 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство LPDDR3 6Gb класса 20 нм (2 года)
Ноябрь 2012 #f7f7f7" style="height: 18px;">20-нм класс (2 года) 4Gb DDR3 массового производства
Сентябрь 2011 #f7f7f7" style="height: 18px;">20-нм класс (2x) 2Gb DDR3 массового производства
Июль 2010 #f7f7f7" style="height: 18px;">30-нм класс 2Gb DDR3 массового производства
Февраль 2010 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 4Gb DDR3 класса 40 нм
Июль 2009 #f7f7f7" style="height: 18px;">Массовое производство 2Гб DDR3 класса 40 нм

Использование EUVL позволит Samsung (и, в конечном итоге, другим производителям памяти) сократить (или исключить) использование мульти-паттернов, что повышает точность паттернов и, следовательно, повышает производительность и производительность. Последние получат выгоду от производства высокопроизводительных чипов DDR5 большой емкости, поскольку они предназначены для увеличения как производительности (до DDR4-6400), так и емкости (до 32 Гбит / с). Samsung официально не сообщает, сколько слоев EUV используют в своих технологических процессах D1x и D1a.

В дополнение к раскрытию своих достижений, связанных с EUV, Samsung также сообщила, что во второй половине этого года ее завод по производству P2 вблизи Пхёнтхэка, Южная Корея, начнет работу в конце этого года. Первоначально, объект будет «производить DRAM премиум-класса следующего поколения».

gif;base64,R0lGODlhAQABAAAAACH5BAEKAAEALAAAAAABAAEAAAICTAEAOw== - Samsung выпустит DDR5 в 2021 году (с EUV)

Юнг-ба Ли, исполнительный вице-президент DRAM Product & Technology в Samsung Electronics, сказал следующее:

«ВЫПУСКАЯ НАШУ НОВУЮ DRAM НА БАЗЕ EUV, МЫ ДЕМОНСТРИРУЕМ НАШУ ПОЛНУЮ ПРИВЕРЖЕННОСТЬ ПРЕДОСТАВЛЕНИЕ РЕВОЛЮЦИОННЫХ РЕШЕНИЙ DRAM ДЛЯ ПОДДЕРЖКИ НАШИХ ГЛОБАЛЬНЫХ ИТ-КЛИЕНТОВ. ЭТО ВАЖНОЕ ДОСТИЖЕНИЕ ПОДЧЕРКИВАЕТ, КАК МЫ БУДЕМ ПРОДОЛЖАТЬ ВНОСИТЬ СВОЙ ВКЛАД В ГЛОБАЛЬНЫЕ ИТ-ИННОВАЦИИ ПУТЕМ СВОЕВРЕМЕННОЙ РАЗРАБОТКИ ПЕРЕДОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ПРОДУКТОВ ПАМЯТИ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ ДЛЯ РЫНКА ПАМЯТИ ПРЕМИУМ-КЛАССА ».

DDR5 в Массы! и причем тут SAMSUNG
Рекомендуем прочесть
  • HDD vs SSD.Какой жёсткий диск лучше выбрать?Разбираемся.

    Традиционный HDD состоит из "подвижных" частей,он имеет намагниченный диск,шпиндель его раскручивает ,а головка считывает информацию на скорости 5400-7200 оборотов в минуту.

    В SSD же за счет отсутствия подвижных частей всё происходит гораздо быстрее. Контроллер памяти вычисляет нужный адрес файла и по "электропути" доставляет вам его.

  • До 20 ГБ памяти GDDR6 и 3480 ядер CUDA. Стали известны характеристики видеокарт Nvidia GeForce RTX 3080 и RTX 3070

  • Американская компания EVGA решила порадовать приверженцев «зелёной команды», явив широкой компьютерной общественности серию видеокарт GeForce RTX 2060 KO по заманчивой цене, сообщает ресурс Wccftech. О данной инициативе уже сообщалось чуть ранее, однако сейчас появились свежие подробности касательно новых моделей.

Отзывы

Пока нет сообщений

Написать отзыв



Настоящим подтверждаю, что я ознакомлен и согласен с условиями политики конфиденциальности.
Я нe рoбoт