DDR5 в Массы! и причем тут SAMSUNG

Samsung планирует начать производство памяти DDR5 и LPDDR5 в следующем году, используя технологию производства, которая будет использовать преимущества ультрафиолетовой литографии (EUVL). Фактически, Samsung уже некоторое время играет с процессом создания DRAM с поддержкой EUV и уже проверила память DDR4 с избранными партнерами.

На сегодняшний день Samsung произвела и поставила миллион модулей DDR4 DRAM на основе микросхем, изготовленных по технологии компании D1x, в которой используется литография EUV. Эти модули завершили оценки клиентов, что доказывает, что Samsung 1^улица Технология EUV DRAM поколения позволяет строить тонкие схемы. Samsung D1x – это экспериментальный процесс изготовления EUVL, который использовался для создания экспериментальных DDR4 DRAM, хотя в дальнейшем он не будет использоваться, заявляет компания.

Вместо этого для производства DDR5 и LPDDR5 в следующем году компания будет использовать свой D1a, высокоразвитый процесс класса 14 нм со слоями EUV. Ожидается, что эта технология удвоит производительность на каждую пластину (вывод бит DRAM) по сравнению с технологией D1x, что указывает на то, что она использует более тонкие геометрии. Samsung не раскрывает, использует ли D1a и другие инновации (в дополнение к EUVL), такие как конденсаторы элементарных ячеек и слои с двумя рабочими функциями для скрытых межстрочных линий, как и ожидают аналитики из TechInsights, которые считают, что масштабирующие транзисторы с ячейками DRAM и структуры конденсаторов предлагают ограниченная возможность масштабирования дальше от текущих уровней.

Использование EUVL позволит Samsung (и, в конечном итоге, другим производителям памяти) сократить (или исключить) использование мульти-паттернов, что повышает точность паттернов и, следовательно, повышает производительность и производительность. Последние получат выгоду от производства высокопроизводительных чипов DDR5 большой емкости, поскольку они предназначены для увеличения как производительности (до DDR4-6400), так и емкости (до 32 Гбит / с). Samsung официально не сообщает, сколько слоев EUV используют в своих технологических процессах D1x и D1a.

В дополнение к раскрытию своих достижений, связанных с EUV, Samsung также сообщила, что во второй половине этого года ее завод по производству P2 вблизи Пхёнтхэка, Южная Корея, начнет работу в конце этого года. Первоначально, объект будет «производить DRAM премиум-класса следующего поколения».

Юнг-ба Ли, исполнительный вице-президент DRAM Product & Technology в Samsung Electronics, сказал следующее:

«ВЫПУСКАЯ НАШУ НОВУЮ DRAM НА БАЗЕ EUV, МЫ ДЕМОНСТРИРУЕМ НАШУ ПОЛНУЮ ПРИВЕРЖЕННОСТЬ ПРЕДОСТАВЛЕНИЕ РЕВОЛЮЦИОННЫХ РЕШЕНИЙ DRAM ДЛЯ ПОДДЕРЖКИ НАШИХ ГЛОБАЛЬНЫХ ИТ-КЛИЕНТОВ. ЭТО ВАЖНОЕ ДОСТИЖЕНИЕ ПОДЧЕРКИВАЕТ, КАК МЫ БУДЕМ ПРОДОЛЖАТЬ ВНОСИТЬ СВОЙ ВКЛАД В ГЛОБАЛЬНЫЕ ИТ-ИННОВАЦИИ ПУТЕМ СВОЕВРЕМЕННОЙ РАЗРАБОТКИ ПЕРЕДОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ПРОДУКТОВ ПАМЯТИ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ ДЛЯ РЫНКА ПАМЯТИ ПРЕМИУМ-КЛАССА ».